импульсное значение

импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение
U_пр.и
U_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• импульсное прямое напряжение

EN

• maximum peak forward voltage

18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя

Импульсное прямое напряжение

Maximum peak forward voltage

U_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное выдерживаемое напряжение
Наибольшее пиковое значение импульсного напряжения предписанной формы и полярности, не вызывающее пробоя в указанных условиях испытания.
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]

EN

impulse withstand voltage
highest peak value of an impulse voltage, of prescribed form and polarity, which does not cause breakdown under specified conditions of test
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

FR

tension de tenue aux chocs
valeur de crête la plus élevée d'une tension de choc, de forme et de polarité prescrites, qui ne provoque pas de claquage dans des conditions d'essai spécifiées
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• impulse withstand voltage
• insulation against an impulse voltage

FR

• tension de tenue aux chocs

3.6.4 импульсное выдерживаемое напряжение (impulse withstand voltage): Наибольшее пиковое значение импульсного напряжения предписанной формы и полярности, не вызывающее пробоя в заданных условиях.

[МЭК 60664-1, пункт 1.3.8.1]

Источник: ГОСТ Р 50345-2010: Аппаратура малогабаритная электрическая. Автоматические выключатели для защиты от сверхтоков бытового и аналогичного назначения. Часть 1. Автоматические выключатели для переменного тока оригинал документа

3.5.24 импульсное выдерживаемое напряжение (impulse withstand voltage): Наибольшее пиковое значение импульсного напряжения предписанной формы и полярности, которое не вызывает пробоя в указанных условиях испытания.

Источник: ГОСТ Р 51731-2010: Контакторы электромеханические бытового и аналогичного назначения оригинал документа

импульсное обратное напряжение диода
U_обр.и, U_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse voltage

DE

• Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de crête

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное прямое напряжение диода
U_пр.и, U_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward voltage

DE

• Spitzendurchlassspannung der Diode

FR

• tension directe de crête

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

U_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения.
Обозначение
U_пс,и
U_RCM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse conducting voltage

FR

• tension de pointe à l’état conducteur dans le sens inverse

26. Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

E. Peak reverse conducting voltage

F. Tension de pointe à l’état conducteur dans le sens inverse

U_пс,и

Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения.
Обозначение
U_ос,и
U_TM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak on-state voltage

FR

• tension de pointe à l’état passant

16. Импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора

E. Peak on-state voltage

F. Tension de pointe à l’état passant

U_ос.и

Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение управления тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора.
Обозначение
U_у,и
U_GM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak gate voltage

FR

• tension de pointe de gâchette

30. Импульсное напряжение управления тиристора

E. Peak gate voltage

F. Tension de pointe de gâchette

U_у,и

Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное обратное напряжение диода
U_обр.и, U_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse voltage

DE

• Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de crête

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное прямое напряжение диода
U_пр.и, U_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward voltage

DE

• Spitzendurchlassspannung der Diode

FR

• tension directe de crête

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

U_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения.
Обозначение
U_пс,и
U_RCM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse conducting voltage

FR

• tension de pointe à l’état conducteur dans le sens inverse

26. Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

E. Peak reverse conducting voltage

F. Tension de pointe à l’état conducteur dans le sens inverse

U_пс,и

Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения.
Обозначение
U_ос,и
U_TM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak on-state voltage

FR

• tension de pointe à l’état passant

16. Импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора

E. Peak on-state voltage

F. Tension de pointe à l’état passant

U_ос.и

Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное напряжение управления тиристора
Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора.
Обозначение
U_у,и
U_GM
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak gate voltage

FR

• tension de pointe de gâchette

30. Импульсное напряжение управления тиристора

E. Peak gate voltage

F. Tension de pointe de gâchette

U_у,и

Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное обратное напряжение диода
U_обр.и, U_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse voltage

DE

• Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de crête

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное прямое напряжение диода
U_пр.и, U_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward voltage

DE

• Spitzendurchlassspannung der Diode

FR

• tension directe de crête

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

U_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя

Импульсное обратное напряжение

Peak reverse voltage

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
U_обр._и (U_RM)
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора.
[ ГОСТ 25066-91]

Тематики

• индикаторы знакосинтезирующие

EN

• peak reverse voltage

импульсное выдерживаемое напряжение
Наибольшее пиковое значение импульсного напряжения предписанной формы и полярности, не вызывающее пробоя в указанных условиях испытания.
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]

EN

impulse withstand voltage
highest peak value of an impulse voltage, of prescribed form and polarity, which does not cause breakdown under specified conditions of test
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

FR

tension de tenue aux chocs
valeur de crête la plus élevée d'une tension de choc, de forme et de polarité prescrites, qui ne provoque pas de claquage dans des conditions d'essai spécifiées
[IEC 60947-1, ed. 5.0 (2007-06)]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• impulse withstand voltage
• insulation against an impulse voltage

FR

• tension de tenue aux chocs

неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_{обр.и.нп}, U_RSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• non-repetitive (surge) reverse voltage

DE

• nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe non-répétitive

37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

U_{обр.и.нп}

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_обр.и.п, U_RRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• repetitive peak reverse voltage

DE

• periodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe répétitive

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

U_обр.и.п

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа